[ На главную ] -- [ Список участников ] -- [ Правила форума ] -- [ Зарегистрироваться ]

Индукционный нагрев металлов.

  Вход на форум   логин       пароль   Забыли пароль? Регистрация
On-line:  

Раздел: 
Gauss2k - gauss gun у тебя дома / Электроника и Электротехника / Индукционный нагрев металлов.

Страницы: << Prev 1 2 3 4 5  ...... 43 44 45  ...... 196 197 198 199 Next>> новая тема

Автор Сообщение

гроссмейстер
Группа: Участники
Сообщений: 170 		Добавлено: 18-11-2010 14:40
Ну и зачем "гнать волну" , подверждаю, что в мосте с двумя открытыми ключами, что в полумосте с одним, потери одинаковы.
Более того :
Спрашивается, это в каком это месте в мосту будет выигрыш по потере в ключах по сравнению с полумостом? А я вот отвечу, что выигрыш будет если применять не IGBT, а MOSFET транзисторы т.к. в них потери равны произведению квадрата тока на сопротивление перехода.
На мосфетах в полумосту, будут потери равные мосту, если для одинаковой мощности применить равное кол-во ключей! по 2 в параллель !!!

ТО ksv
Должен убегать, освобожусь выложу на радикал и схему и анализ.

магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 4243
 Добавлено: 18-11-2010 14:52
подверждаю, что в мосте с двумя открытыми ключами, что в полумосте с одним, потери одинаковы.

В мосте открыты 2 ключа одновременно и в полумосте открыты 2 ключа одновременно! разница только в том, что в первом случае они открыты последовательно, а во втором параллельно. Всё! Причем тут "... , что в полумосте с одним, ..."? Не один там ключ. Два но в параллель.
ksv, о да... "Или я что-то сегодня неадекватно воспринимаю реальность?" Вы както приводили pdf документ от IR, где это все было описано. Не могу сейчас найти.. лень рыться. Это они тоже стопицот раз описывали (имеется в виду расчет потерь), т.к. это очень важный момент при проектировании радиаторов для устройства. Ну вот на вскидку нашел в сети пример расчетов. Посмотрите и приведите Вашу реальнос в адекват с документацией.

магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 1481
 Добавлено: 18-11-2010 15:23
Причем здесь вообще какая-то документация?

А я вот отвечу, что выигрыш будет если применять не IGBT, а MOSFET транзисторы т.к. в них потери равны произведению квадрата тока на сопротивление перехода.
Можно подумать, что для IGBT потери будут описываться другим законом физики!

Если у Вас есть черный ящик (двухполюсник) с активным сопротивлением R, через который течет ток J, то плевать что внутри находится (хоть коллайлер). Все равно омические потери в нем будут равны R*J^2.

Ладно, какая-то абсолютно бессмысленная дискуссия получается. Не будем бесполезно тратить время.

частый гость
Группа: Участники
Сообщений: 19
 Добавлено: 18-11-2010 15:30
to ksv
Насколько я понял это программа HEXRISE – International Rectfier и ее модификация для Semikron~a

Прошу прощения за вторжение...но я сказал Андрею Колпакову об этой фразе.
Ответ -"И форум оч. интересный. Обидело, что один /удалено/ сказал, что СЕМИСЕЛ -
это наш вариант HEXRISE. IR-овская программа ваще полное /удалено/.
И от себя добавлю -поработайте с SemiSel и половина постов на этом топике окажется не нужна...

магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 4243
 Добавлено: 18-11-2010 16:17
ksv, я понимаю на что Вы намекаете. На закон Джоуля-Ленца. Но только както Вы странно написали формулу эту.. полуформула какаято получается из величин из разной оперы. Для нашего случая она выглядит как Q=I^2*R*t И она справедлива для полевого транзистора! В том то вся и соль, что для IGBT считают по другому из-за свойств полупроводника в зависимости от приложенного тока и напряжения. Вспомните стабилитрон. Так и тут, не зависимо от протекающего тока на нем примерно одинаковое падение напряжения всегда (оно не совсем линейно конечно). Ну, или если хотите, рассматривайте его аналогично простому диоду в открытом состоянии, с его напряжением падения. А полевик в открытом состоянии не работает как диод, а скорее похож на обычный резистор, пропускающий ток в любую сторону как и резистор и потери на нем как на резисторе. Ну это я на пальцах так попытался обьяснить как могу. Простите, если не красиво получилось. Ну а что касается Вашей формулы, то она тогда скорее должна выглядеть как w=j*E Так?

А Вы говорите "зачем документация"! Это Вам не мелочь по карманам тырить!


Как бы в очередной раз в подтверждение своих слов, а также почему я зацепился за IGBT, хочу дасть почитать ссылочку. Читать вдумчиво и не спеша.
Краткая цитата:
В качестве условий тестирования были выбраны следующие параметры: режим жесткого переключения с индуктивной нагрузкой, рабочее напряжение 400В, температура перехода Tj=175С, температура корпуса TC=75С, рабочий цикл 50% и общее сопротивление затвора 5 Ом. Совместно с каждым устройством использовался диод сверхбыстрого восстановления на 15А, 600В в качестве фиксирующего диода. Тестируемая схема представляла собой типовую топологию для индуктивных нагрузок.
Устройства АРТ30GP60В и АРТ6038ВLL имеют одинаковые размеры кристалла, а размер кристалла АРТ6010В2LL примерно в 3 раза больше. Обычно, стоимость устройства зависит от площади кристалла, поэтому устройства с требуемыми характеристиками построенные на меньшем по площади кристалле, стоят, как правило, дешевле.

Предположим, что нам необходимо обеспечить импульсный ток 8А на частоте 200кГц. Исходя из зависимостей на рис. 3, становится ясно, что полевой МОП транзистор АРТ6038ВLL – наилучший выбор, т.к. он может работать со значительно большими частотами, чем другие устройства. Теперь предположим, что требуется обеспечить ток 20А на частоте 200кГц. Такой ток будет способен обеспечить как PT IGBT АРТ30GP60В, так и полевой МОП транзистор АРТ6010В2LL. Однако PT IGBT АРТ30GP60В будет стоить в три раза меньше, чем транзистор АРТ6010В2LL, в связи с уменьшенным размером кристалла. Полевой МОП транзистор АРТ6038ВLL полностью отпадает. При токе свыше 37А, PT IGBT имеет все преимущества, даже не смотря на то, что обладает меньшим размером кристалла; при таких рабочих частотах температура перехода IGBT будет ниже, чем у полевого МОП транзистора. Этот пример идет вразрез с общепринятым мнением, что полевые МОП транзисторы всегда работают эффективнее, чем IGBT, и высокая эффективность подразумевает высокую стоимость.

Для более корректного анализа стоит сделать еще несколько замечаний.

Во-первых, значение прямого тока ID полевого МОП транзистора АРТ6038ВLL составляет 17А, но в нашем случае этот транзистор вряд ли сможет обеспечить ток более 10 А. При других условиях, таких, например, как короткий рабочий цикл, транзистор сможет обеспечить прямой ток близкий к номинальному значению. Номинальное значение прямого тока не может показать нам реальное значение тока для нашего применения, т.к. измеряется оно в непрерывном режиме (без потерь на переключение) и при определенной температуре. В основном номинальное значение прямого тока показывает относительную величину тока и потери проводимости в устройстве.

Во-вторых, общее сравнение показывает, что значение прямого тока ID полевого МОП транзистора АРТ6010В2LL (при непрерывном режиме с температурой корпуса 25С) близко к значению прямого тока IC2 IGBT АРТ30GP60В (при непрерывном режиме с температурой корпуса 110С), 54 и 49 А соответственно. Эти характеристики весьма схожи между собой, производительность этих двух устройств тоже практически одинаковая. Оба устройства могут работать на частоте 200кГц при рабочих токах в половину меньших номинальных значений тока.

В-третьих, биполярные транзисторы обладают большей плотностью тока, чем полевые МОП транзисторы, благодаря чему IGBT используют кристаллы меньшего размера с тем же уровнем мощности, что и МОП транзисторы. Из-за значительного увеличения сопротивления в открытом состоянии, полевые МОП транзисторы обладают гораздо меньшей плотностью тока при рабочих напряжениях свыше 300В. И здесь гораздо целесообразнее использовать IGBT.

В завершении, надо отметить что необходимо понимание относительной эффективности того или иного устройства при применении в различных условиях. На высоких частотах и сравнительно низких токах, предпочтение отдается, как правило, полевым МОП транзисторам (или же РТ IGBT малых размеров). IGBT является лучшим решением в применениях, где требуется больший ток, так как потери проводимости умеренно увеличиваются с увеличением тока, в то время как значения потерь проводимости мощного полевого МОП транзистора пропорциональны квадрату значения тока. В большинстве частотных и токовых диапазонов могут применяться различные устройства, однако, последнее поколение PT IGBT Power MOS 7® выступает как самое недорогое решение для разработчиков.

Там и про ток и про напряжения и про мощность и про частоты и про стоимость.

магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 1481
 Добавлено: 18-11-2010 16:53
To TSDrive
Ну да. Если SemiSel не "ремейк", то представляю себе реакцию разработчиков! Еще и не так много удаленных слов получилось!
И от себя добавлю -поработайте с SemiSel и половина постов на этом топике окажется не нужна
Наверняка (по сути) Вы правы. Хотя здесь речь шла скорее о неком "качественном моделировании" чисто тепловых процессов в радиаторе, необходимом для понимания возможных "граблей", связанных с использованием водяного охлаждения, а не о специализированных инженерных расчетах уже конкретных систем.

To jab
Нет. R*J^2 - это МОЩНОСТЬ омических (тепловых) потерь. А с буковкой t (I^2*R*t == R*J^2*t) это уже ЭНЕРГИЯ, выделившаяся в виде тепла за время t. Т.е. в первом случае потери в единицу времени, во втором - за промежуток времени t. И для полевиков и для биполярников эта формула одинакова. Другое дело, что само R рассчитывается (и ведет себя!) по-разному.

Не берите "в голову". Я очень философски отношусь к таким спорам...

магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 4243
 Добавлено: 18-11-2010 17:10
Другое дело, что само R рассчитывается (и ведет себя!) по-разному.

Ловко Вы пытаетесь выкрутится! Как бы по-разному, по этому и формулы разные для IGBT и для MOSFET. И результат разный! Вот Вам и вся философия.

гроссмейстер
Группа: Участники
Сообщений: 170 		Добавлено: 18-11-2010 18:02
Вот схема ее анализ, самая нижняя кривуля, у величина в масштабе "интересная часть"
http://i001.radikal.ru/1011/72/d6631e269b08.gif




А по активным потерям в ключах , хоть кол на голеве тешите, но с 4х ключей
1. мост
2. полумост с 2ключами в паралель в каждом плече
3. "косой" с 2ключами в паралель в каждом плече
4. Пуш-пул с 2ключами "Последовательно с выравниванием напряжения" в каждом плече
5. Прямоход с фиксацией удвоенного напряжения питания
С 2ключами в паралель из двух "Последовательно с выравниванием напряжения" (4ключа последовательно-параллельно)

При одинаковой моще, будут иметь, одинаковые потери.

Вспомнилось, как больше 30лет назад, на КТ805Б, делал импульсный сетевой БП, по 4штуки последовательно в каждом плече полумоста.
Ох, и интересно было!

магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 1481
 Добавлено: 18-11-2010 18:55
To vnv

Если можно, пару уточняющих вопросов по схеме.

1. Возвратные диоды D1 и D2 оторваны, или это у меня не прорисовались линии?
2. Модель/марка транзисторов какая?

гроссмейстер
Группа: Участники
Сообщений: 170 		Добавлено: 18-11-2010 19:01
Диоды, спецом оторвал, чтоб на их не грешили.
IRF740, в затвор (через 10ом) сигнал 8мкс с -12в до +15, затем опять -12, фронты 0,15мкс

магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 4243
 Добавлено: 18-11-2010 19:08
А по активным потерям в ключах , хоть кол на голеве тешите, но с 4х ключей
1. мост
2. полумост с 2ключами в паралель в каждом плече

Ну я про тоже и говорил.

На что в схеме надо обратить внимание? Я такие моделировал года полтара назад. Что там не так?

З.Ы. Кстати, при наличии С2 и С1 конденсатор в схеме С3 лишний. Ну или наоборот можно оставить С3, а параллельный контур подключить на общий провод. Получается схема последовательно - параллельного резонанса.

гроссмейстер
Группа: Участники
Сообщений: 170 		Добавлено: 18-11-2010 19:13
Наверное, на ток через R5, транзистор с затвором на земле, закрыт, однако произведение ток (R5=стоку)*напр(сток-исток) дает всплески по 8вт.

ТО ksv
А как мы назовем, ток идущий через оба плеча, закрытых транзисторов?


З.Ы. Кстати, при наличии С2 и С1 конденсатор в схеме С3 лишний. Ну или наоборот можно оставить С3, а параллельный контур подключить на общий провод. Получается схема последовательно - параллельного резонанса.


это понятно, но... при моделировании легче менять один конденсатор, особенно используя степпинг.

магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 4243
 Добавлено: 18-11-2010 19:20
Транзистор закрыт, но имеет емкость перехода + паразитный биполярник в структуре перехода, который как диод себя ведет и ему нужно время для закрытия. И эти "8Вт" на самом деле милливаты в секунду. Корпус не нагреется даже без радиатора.

гроссмейстер
Группа: Участники
Сообщений: 170 		Добавлено: 18-11-2010 19:27
Транзистор закрыт, но имеет емкость перехода + паразитный биполярник в структуре перехода, который как диод себя ведет и ему нужно время для закрытия. И эти "8Вт" на самом деле милливаты в секунду. Корпус не нагреется даже без радиатора.

Да, когда это с одиночного импульса и ампл.тока 300ма.

А когда 5-8А(ампл) и всплеск, даже 3А при 300в==900вт, в теченн 1мкск, а их до следующего 9осталось?????
То есть ср.моща от этих всплесков 90вт, а от активных потерь ключа, 3а(эфф)*1в=3вт
Теперь скажи, что 90вт, по сравнению с 3вт, мелочь .
Немного утрировал, чтобы суть, стала понятна.

ЗЫ: у нас считалась, установка хорошо налажена, если всплеки тока не превышают четверьти амплитудного, и короче 0,7мкск. И достигалось с помощью настройки контроллера, запаздывания фазы открытия транзистора, который есть ---НОУ-ХАУ.

ЗЫ: ЗЫ:
Потому очень заинтересовало от komrad.isaev
Это лечиться очень просто - работой чуть выше резонанса, в пределах деадтайма и установкой защиты от емкостного тока.
Примените драйвера с защитой от сквозняка и будете спать спокойно или по аналогии с компьютерными блоками питания


Наверное, тоже секрет.

магистр
Группа: Участники
Сообщений: 783
 Добавлено: 18-11-2010 19:53
to TSDrive
Я смотрю тяжелая артиллерия подтянулась, в виде представительства Семикрон в Курляндии

Эх как вы быстро две страницы форума накропали

vnv
конкретное схематическое решение, конечно является Ноу-Хау.
Я не знаю как глубоко Вы работали в области проектирования ИН, но мне довелось пообщаться с Китами российского бомонда проектирования ИН. Я сам не проектировщик, но из ваших постов видно, что эта тема для Вас нова, по крайней мере Вы занимаетесь ей не на уровне промышленных решений, подлежащих сертификации.

В том, что я видел, в том числе и в разработанной для меня схеме имелись фазовращатели и защита от емкостного тока(она строится на сравнении фазы, далее идет на защиту), имеется ввиду инвертор напряжения.
================

У меня всплесков сквозняка не наблюдается вообще, я конечно не располагаю осцилом с записью. Если насильно не загонишь генератор ниже резонанса

гроссмейстер
Группа: Участники
Сообщений: 170 		Добавлено: 18-11-2010 20:12
но из ваших постов видно, что эта тема для Вас нова, по крайней мере Вы занимаетесь ей не на уровне промышленных решений, подлежащих сертификации.
, похоже на попытку укусить .
Вроде не где не утверждал, что занимался "на уровне промышленных решений, подлежащих сертификации".
Однако все наши установки, (почти всегда в единичном экземпляре), обязательно, проходили сертификацию, энергонадзора по безопастности и сертификацию комитета радиочастот.
Кстати, ламповые китайскии в отличии, от старых советских, такую сертификацию пройти не способны , приходится хозяевам "договариваться" .

магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 1481
 Добавлено: 18-11-2010 20:12
To vnv

И, если я правильно понял, Вас интересуют пички на i(r5) и i(r8) в районе 8 мкс. Формально этой действительно сквозной ток. А поскольку затвор M2 "глухо" закорочен, то Миллер отдыхает. Действительно очень интересно. Если сегодня успею (у меня +7 от Гринвича, спать уже хочется), то попробую воспроизвести и поисследовать это в "спице". Если нет, то завтра.

А как мы назовем, ток идущий через оба плеча, закрытых транзисторов
Ну я бы сказал - только при одном "железно" закрытом ключе. Ответ: "Не знаю".

Если не усну, то сделаю такую последовательность экспериментов.
1. Транзисторы заменяются на идеальные ключи. Есть эффект или нет эффекта. Если есть - думать уже серьезно (о смысле жизни). Если нет - к пункту 2.
2. Добавить к ключу паразитную емкость (исток-сток). Скорее всего причина здесь. Если так, то переживать об этих пичках я бы не стал, т.к. это чисто емкостной ток. Если нет - к пункту 3.
3. Дальнейшее усложнение модели ключа. И т.д. Причина где-то в неидеальностях ключей.

магистр
Группа: Участники
Сообщений: 783
 Добавлено: 18-11-2010 20:17
похоже на попытку укусить

Никоим образом, сразу приношу свои извинения.

насколько я понял, проблема сквозняков, для пром аппаратов довольно избитая тема и довольно решаемая (исходя из моего общения)

гроссмейстер
Группа: Участники
Сообщений: 170 		Добавлено: 18-11-2010 20:29
ТО ksv
Думаю на идеальных ключах, все и будет идеально.

И избавиться не возможно, но найти минимум можно, хотя и требует усложнения.
Именно потому обратил пристальное внимание, на "разделенные обмотки", которые без изысков, помогают достичь приемлимых результатов и очень красиво пляшут с моими суммирующими трансами.
Как бы, близко к идеалу, для моих блочно-модульных конструкций.

Разрабатываю потихоньку, универсальную плату, для всех применений от 300вт и выше.

магистр
Группа: Участники
Сообщений: 783
 Добавлено: 18-11-2010 20:35
Разрабатываю потихоньку, универсальную плату, для всех применений от 300вт и выше.

За дугогасительные пропилы не забудьте

магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 4243
 Добавлено: 18-11-2010 20:36
Меня вот фазовращатель нормальный интересует. Чтоб можно было вывернуть момент выключения транзисторов в ноль, а момент включения будет немного не в нуле из-за неизбежного деад-тайма. На выключении у IGBT значительно больше потерь, чем на включении, поэтому задний фронт в ноль надо затолкать.
З.Ы. правда на включении не в нуле был какойто паразитный звон.. х.з. надо потренироваться будет опять. Сейчас вот дособираю макет очередной и займусь.

гроссмейстер
Группа: Участники
Сообщений: 170 		Добавлено: 18-11-2010 20:53
вдруг поможет http://www.interm.spb.su/pdfs/25.pdf

магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 4243
 Добавлено: 18-11-2010 23:07
vnv, спасибо. Читаю.
Попутно вот собираю коробаху

Всё никак времени не нахожу до кучи дособрать все. Вот оправдания себе ищу разные..
На передней панеле будет две медные пластины контактных с болтами из нержи под сьемные индукторы. В крышке ещё вентиляторы. Ну в общем я както уже описывал конструевину ранее... Попробую вот ещё новый макет инвертора с транзисторами без прокладок непосредственно на радиаторы. По радиатору на транзистор. Ещё надо притереть пастой ГОИ. Поставлю помощнее вентиляторы и посмотрю как оно будет.

магистр
Группа: Участники
Сообщений: 350 		Добавлено: 19-11-2010 00:21
Сменные индукторы это конечно хорошо, но отводы у транса очень желательно иметь переключаемые. А то ничего нормально так и не погреешь, кроме специально обученной гайки под которую всё настроено.

А у меня коробка будет из люминия . Вот вернусь домой в декабре - займусь

Тут ещё столько страниц утекло... уж и не помню. Jab , у тебя моща-то регулироваться будет как-то или защита хоть какая по току?

И еще. Ёмкость-то какая в контуре?
Тут дело в чём - добротность Q~(L/C)^0.5. Так что лучше больше индуктивность и меньше ёмкость.
У меня например 4.2 мКф. Так вот если в индуктор пихать шибко большое железо - на нём максимальную мощность не развить просто потому что нужно убавлять витков в первичке меньше допустимого для данного сердечника и частоты, что нельзя.
Так что на моих 7-и минимальных витках не греет, а уменьшать уже некуда

Так вот, я вижу два решения - сделать вторичку из 2-х витков, что технически трудно, или уменьшить ёмкость, но тогда частота ещё подрастёт.
Думаю уменьшить до 3 мКФ

магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 4243
 Добавлено: 19-11-2010 00:36
N_N, да планирую организовать поцикловое ограничение по току. Но это будет аварийный режим работы инвертора. Т.е. поцикловка будет регулироваться изначально при настройке. А мощу регулировать возможно пропуском или входным источником или на крайняк частотным способом.
Сменные индукторы это конечно хорошо, но отводы у транса очень желательно иметь переключаемые. А то ничего нормально так и не погреешь, кроме специально обученной гайки под которую всё настроено.

Китайцы почемуто так не думают, когда делают свои чудопечки. Я даже примерно понимаю почему и от чего так, но вот интересно послушать твои доводы.

магистр
Группа: Участники
Сообщений: 350 		Добавлено: 19-11-2010 00:43
Ну дык когда печка 50кВТ, а на непрофильной детали c непрофильным индуктором будет 10 - это может ещё и сойдёт для каких-то задач. То есть запас есть.

А когда у тебя максимум 3 кВТ, то чтобы что-то реально греть надо выжимать по полной. И тут уже хош-не хош придётся переключать.

гроссмейстер
Группа: Участники
Сообщений: 170 		Добавлено: 19-11-2010 00:52
TO jab
Вот давно, хотел спросить, но забываю.

У меня все путается в голове , при диалоге с вами.
Причина в том, что переключение ключей в "нуле" тока, является нормой, для последовательного резонанса и я, всегда имею ввиду его.
Вы отдаете предпочтение, паралельному резонансу. (глядя, на Ваши схемы).
В фирме, пытались создать установку, такого типа... Но там ключи, желательно переключать при "нуле" напряжения.
С трудом, создали контроллер, открывающий плечо, при увеличении напряжения выше 5в, на стоке.(боди-диод, оппозитного ключа, гарантированно закрыт), но энергетика оказалась хуже и вернулись к последовательному контуру.

Ну теперь, к сути вопоса ,
Вы переключаете при "нуле" токов ключей, в последовательном или паралельном контуре?

магистр
Группа: Участники
Сообщений: 350 		Добавлено: 19-11-2010 00:58
Что-то ты путаешь. Тут у всех в последнее время контура последовательные с трансформатором вообще-то.
Следовательно ключи переключаются в "нуле" тока.

А где это сжемы с параллельными контурами? Ссылочку для определённости можно?

гроссмейстер
Группа: Участники
Сообщений: 170 		Добавлено: 19-11-2010 01:03
Уже легче , а то опасался, после каждого поста, что о разном, речь ведем.

магистр
Группа: Участники
Сообщений: 350 		Добавлено: 19-11-2010 01:07
С параллельным контуром нужно мутить инвертор тока. Что есть отдельное интересное направление со своими плюсами и минусами. Но пока никто так и не освоил. Я имею в виду из любителей.
Один из минусов как раз этот ноль напряжения вроде. Если от него уйти - то хана.

магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 4243
 Добавлено: 19-11-2010 01:14
vnv, простой вопрос - простой ответ. Я так понял, вопрос касается все тойже схемы с последовательно-паралельным резонансом. Ну я там уже описывал ход моих эксперементов и мысли по этому поводу. Значит изначально я переключался при нуле тока параллельного контура, при этом ток ключей был пилой. Потом всеже врубился в чем фишка и настроил согласующий последовательный контур на частоту параллельного контура и получил переключение в нуле тока. Но вот недостатком всеже будет тот факт, что нет возможности работать в широком диапазоне частот без дополнительной перестройки последовательного контура. Вернее работать то будет, но во первых будет уже не нулевое переключение и будет падение мощности т.к. согласующий контур уходит из резонанса. Это вот одновременно недостаток и преимущество. Выбросите С1, С2 и меняйте параметры С3 и индуктивности чтоб получить резонанс на тойже частоте что и параллельный контур при желаемом импендансе. Импенданс будет зависить от соотношений индуктивности к емкости контура. Как бы вот с N_N тут пытается образоваться диалог на эту тему, но чот мне лень становится заново говорить на эту тему. Рассказывайте лучше мне, а я буду читать, делать выводы, делать макеты, а то както все затягивается опять. Кстати, N_N имей в виду, что греть массивную железяку нужно много мощности и если ещё учесть, что эта железяка тупо стоит на подставке и излучает при этом большую часть мощности в окружающую среду. Добавлением витков в индуктор конечно можно попытаться добится большего тока в железяке, но тогда действительно увеличивается сопротивление контура и нужно уменьшать КТ согласующего трансформатора, чтоб прокачивать этот контур и тут то ты и нарываешся на грабли, что уменьшать уже и некуда. Как вариант, вообще выкинуть согласующий трансформатор или добавить теплоизолятор на железяку, чтоб она грелась с минимумом потерь. Но вот ещё не забывай про напряжение на резонансных конденсаторах. Допустимое то конечно 2000В на твоих, но то для постоянки, а для переменки тем меньше, чем больше частота и ток. Думаю что 2000В в твоем случае запросто превратятся в 200В допустимых, а ты уже и так туда раскачиваешь больше этого ну и наверно слышиш потрескивание из-за этого. Скоро пойдешь в магазин за новыми конденсаторами.

гроссмейстер
Группа: Участники
Сообщений: 170 		Добавлено: 19-11-2010 01:38
То N_N N_N
А где это сжемы с параллельными контурами? Ссылочку для определённости можно?

Ссылочки не дам, у меня одним файлом скачано, потом начал читать.
все последние схемы от jab, которые быстро нашел с паралельным контуром.
Дата и время постов со схемами.
jab 02-07-2010 10:44
jab 19-02-2010 19:24
jab 10-02-2010 19:33
jab 12-01-2010 13:45

То jab спс за ответ. Все понял.
Про кондеры повторю, рассчитывать 3А на штучку, то есть чем ниже частота-тем больше КВАров. и меньше корпусов последовательно.
Иногда меньшая емкость в одинаковом корпусе, держит больше КВАр.

магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 1481
 Добавлено: 19-11-2010 05:02
To vnv

Вчера дома сдох блок питания от D-Link. Остался без связи, поэтому заканчиваю эту тему уже сегодня на работе.

Ваши пички действительно вызваны паразитными емкостями транзистров, поэтому никакого отношения к сквозным токам "недозакрытых" ключей они не имеют. Это чисто емкостные токи. Они, естественно, будут ограничивать верхнюю границу рабочих частот инвертора, но слабо связаны с омическими потерями на ключах.

Модельки и рисунки не выкладываю, т.к. они простейшие: идеальные ключи, обвешенные емкостями. Полумост с чисто активной нагрузкой. Для выяснения Вашего вопроса этого вполне достаточно. Если интересуют какие-то детали, дайте знать - положу.

А когда 5-8А(ампл) и всплеск, даже 3А при 300в==900вт, в теченн 1мкск, а их до следующего 9осталось?????
То есть ср.моща от этих всплесков 90вт, а от активных потерь ключа, 3а(эфф)*1в=3вт
Теперь скажи, что 90вт, по сравнению с 3вт, мелочь .
Немного утрировал, чтобы суть, стала понятна.
Это некорректная оценка. Потому что ток течет не через активное сопротивление, а через паразитные емкости. Т.е. это - реактивная мощность.

Ну наверное ОЧЕНЬ ГРУБУЮ оценку тепловых потерь за счет этих токов можно сделать учтя тангенс угла потерь на этих паразитных емкостях. Где взять эти цифры я не знаю. Вряд ли они есть в datasheet-ах. Но в любом случае можно "скинуть" два-три порядка. Так что из Ваших 90 Вт (в данном случае реактивной(!)) мощности в нагрев ключей пойдет в худшем случае только сотни милливатт. Ерунда. Т.е. с точки зрения дополнительного нагрева ключей бороться с этим эффектом не имеет никакого смысла.

Ну вот, пожалуй, и все с этим вопросом. Не так ли?

Желаю успехов в разработке "универсальной платы, для всех применений от 300вт и выше"! Надеюсь расскажете народу когда сделаете.

гроссмейстер
Группа: Участники
Сообщений: 170 		Добавлено: 19-11-2010 09:52
За пожелание успехов, спасибо!
По остальному...
Емкосстные говорите , C*V*V/2?
Значит от последовательного контура не зависит, что легко проверить:
Уменьшаем L1 в 10раз, увеличив С3 в 10раз, емкостные токи-меняться не должны!
Однако они увеличились ровно в 10раз...
И произведение (ток стока)*напр(исток*сток) закрытого ключа, тоже в 10раз, достигая в пике 160вт, а не 16вт.
Не получает, подверждения Ваш вывод Увы.

Зы: вспомнился случай, Ir2153 и пара 740, однажды при мне отсоеденили нагрузку, нагрелись мгновенно (наверное реактивными токами), а с нагрузкой-нагрев меньше, хотя ток вырос.

магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 1481
 Добавлено: 19-11-2010 10:23
vnv, я говорю о емкостных токах через ПАРАЗИТНЫЕ ЕМКОСТИ самих ТРАНЗИСТОРОВ (ключей)!

Пояснение
У Вас на схеме их нет, но они должны быть заложены в саму модель транзистора. В простой модели полевика их обычно три - между каждой парой ног транзистора. Во сексуальная картинка получилась! Называются они Cds (емкость сток-исток), Cgd и Cgs (емкости между затвором и соответственно стоком и истоком). Они связаны друг с другом и нелинейны (в частности, зависят от напряжения). В datasheet-ах обычно указываются производные от этих емкостей Ciis, Crss и Coss.

гроссмейстер
Группа: Участники
Сообщений: 170 		Добавлено: 19-11-2010 10:34
vnv, я говорю о емкостных токах через ПАРАЗИТНЫЕ ЕМКОСТИ самих ТРАНЗИСТОРОВ (ключей)!


Ладно, уговорили...
Значит, мне неправильные ключи, попадают и симулятор неправильный, в котором емкостный ток ключа, увеличивается вместе с ростом, тока нагрузки.
И теория це*ве*квадрат/2, у меня неправильная.
Извиняюсь, за глупую шутку, она вызвана цитатой вверху.

Как говорят, замнем для ясности.
Неинтересная, для меня стала эта, тема

Зы: А если Вам интересно, присмотритесь, что емкостный ток спадает линейно с 4А до ноля за 15мксек(для индуктора 300мкГн и емкости 1,2мкф), и посчитайте емкость ключа

магистр
Группа: Участники
Сообщений: 2148
 Добавлено: 19-11-2010 10:39
jab, привет! Нужен совет. Нужно равномерно нагреть фольгу стеклотекстолита. Какие требования:
- Самое главное - равномерный прогрев стеклотекстолита и фольги
- Максимальная температура 250гр. т.е. перегревать выше нету смысла, автоматическая регулировка тоже не обязательна в принципе.
- Время прогрева тоже не критично, да пусть хоть за 5 минут до 250градусов, моща думаю не большая нужна.
Теперь по поводу конструкции. Сам индуктор размещается на подложке внизу, сверху кладется стеклотекстолит фольгой вверх(т.е. от индуктора до фольги будет толщина стеклотекстолита). Сверху на фольгу кладется бумажка с платой напечатанной, на бумажку кладется груз, думаю там можно будет уже какую-то теплоизоляцию замутить. И всё в общем. Нужно нагреть фольгу, чтоб перенести тонер на плату, нужен равномерный прогрев по всей площади(как я уже несколько раз сказал) и равномерное давление.
Вобще индукционник подойдет для этой задачи?
Так же выслушаю предложения и других участников этой темы

магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 1481
 Добавлено: 19-11-2010 11:11
To vnv

А что Вы хотите чтобы Вам написали после вот такой логической цепочки?
Емкосстные говорите , C*V*V/2?
Значит от последовательного контура не зависит, что легко проверить:
Уменьшаем L1 в 10раз, увеличив С3 в 10раз, емкостные токи-меняться не должны!
Однако они увеличились ровно в 10раз...


Ну ладно. Не интересно - завязываем.

Ну хоть образ сексуального транзистора родился. Хоть какая-то польза.

гроссмейстер
Группа: Участники
Сообщений: 170 		Добавлено: 19-11-2010 11:12
Идея греть фольгу, хороша-спору нет. Но использовать индукционник, для относительно медленного нагрева, ИМХО смысла нет. Особенно если учесть, толщину фольги в 35мкм.

Лучше и дешевле от транса, с одним витком вторички, прижимая к противоположным краям платы, контакты по всей площади (из чего -другой вопрос). Ампер 100-150 и мощи столько-же, (зависит от размеров плат), должно с головой хватить.
Посчитать, конечно нужно, но интуиция подсказывает,где-то так , +-киллометр
Ясное дело, латр не помешает.

магистр
Группа: Участники
Сообщений: 2148
 Добавлено: 19-11-2010 11:17
Лучше и дешевле от транса, с одним витком вторички, прижимая к противоположным краям платы, контакты по всей площади (из чего -другой вопрос). Ампер 100-150 и мощи столько-же, (зависит от размеров плат), должно с головой хватить.

В том-то и дело, что я хочу как-то избежать подобного способа. Там и фольга обгореть может при плохом контакте и вобще ток такой, что там всё идеально подогнано должно быть, БЖТ нужен и очень требовательно к сборке и компонентам. Мне всяко легче будет собрать индукционник мелкий, там и надежность повыше и сам процесс переноса будет проще.

гроссмейстер
Группа: Участники
Сообщений: 170 		Добавлено: 19-11-2010 11:25
Тогда, купи или собери индукционную плитку (с одной конфоркой 50$) и используй металлическую пластину 1-2 мм толщиной как нагреватель.

Зы: может получится намотав на Ш сердечнике, обмотку и в сеть 220 (используй металлическую пластину 1-2 мм толщиной как нагреватель.)
Еще и вибрацию для пользы дела приспособишь


магистр
Группа: Участники
Сообщений: 2148
 Добавлено: 19-11-2010 12:00
Тогда, купи или собери индукционную плитку (с одной конфоркой 50$) и используй металлическую пластину 1-2 мм толщиной как нагреватель.

Дорого слишком, я лучше капы для гаусса куплю. Вобще все остальные варианты отпадают и кроме индукционника ничего не интересно.

магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 4243
 Добавлено: 19-11-2010 12:40
Axon, по поводу нагрева значит посоветую тебе следующее. Равномерно греть сразу всю пластину не удобно т.к. изначально не известно размеры пластины. Она может быть как спичечный коробок площадью или как А4 площадью, а делать под каждую пластину спец индуктор както не прикольно. Проще уж тогда обычным утюгом пользоваться. Делать индуктор заведомо больше всех возможных пластин... это наверно ещё хуже чем два предыдущих варианта вместе взятых. Остается вариант с небольшим индуктором. Я бы даже сказал, головка индуктора. Для этого я бы предложил взять феррит Ш и на центральный керн намотать обмотку, а с противоположной стороны он не будет замкнут магнитопроводом и туда будет прислоняться пластина. В фальге будет наводится вихревой ток. Тут наверно имеет смысл взять частоту килогерц 150-200. В качестве генератора наверно легко подойдет вариант как у ksv на ir2153. На выход полумоста подобрать емкость так, чтоб частота резонанса была в указанных выше пределах. Импеданс получившегося последовательного контура можно подобрать так, чтоб ... короче тут надо потренироваться, чтоб знать сколько там мощи качать надо, но думаю пару ампер должно хватить и ключики полевики 740 наверно тоже прокатят, если что так можно и 450 или 460 впердолить! Получится типа локальная такая грелка. Как контролировать температуру? тут наверно придется тоже поиграться. Значит таким вот индуктором надо будет елозить по плате прижав её с низу картинкой подпертой селиконовым ковриком.

бывалый
Группа: Участники
Сообщений: 54 		Добавлено: 19-11-2010 13:22
Axon Вот нагреватель, который я делал 100 лет назад биологам для для нагрева предметных стекол с препаратами. Обычная спираль на фарфорофых изоляторах. Справа реле авторегулятор температуры. Сверху(сдвинуто) латунная пластина - крышка.
Чем дальше спираль от крышки - тем равномерней распределение температуры по плоскости. Размер ящика 400х200х50. Конечно можно любой сделать.




магистр
Группа: Участники
Сообщений: 2148
 Добавлено: 19-11-2010 14:49
jab, всё предельно ясно, тогда уж действительно утюгом легче.
МБГО, тоже не катит, буду утюгом тогда.

магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 4243
 Добавлено: 19-11-2010 15:37
Axon, идея интересная! Можешь попробовать. Думаю должно быть не хуже утюга, если приспособится с нагревом до нужной температуры. Вот смотри! Если взять гладкую железную пластину (именно железную, чтоб магнит прилипал) на неё положить распечатку монтажки рисунком в верх и сверху положить стеклотекстолить фальгой на рисунок. Получится такой себе бутерброд. А вот если теперь поверх стеклотекстолита поводить таким вот Ш образным индуктором, то металлическая пластина будет нагреваться и даже быстрее чем фальга, но и фальга тоже! В результате получится прогрев распечатки с двух сторон. Повысится КПД. Кстати, металлическая пластина будет большую часть наводок экранировать и по последней причине можно будет замерять температуру именно на этой пластине термопарой или терморезистором.

Правда я тут пока писал, придумал другой способ. Можно взять соорудить прокаточный механизм как в принторе с печкой и протягивать плату с прижатым рисунком к ней и одновременно нагревать узенькой длинной печкой, как в принтере. Зная температуру печки можно расчитать скорость вращения валиков и получить хорошую повторяемость результатов.

магистр
Группа: Участники
Сообщений: 2148
 Добавлено: 19-11-2010 15:49
Да не, это не то уже, валики совсем не пойдут т.к. там бумага ялозить будет.

магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 1481
 Добавлено: 19-11-2010 16:45
Ламинатором эта штука называется. Видеоурок про использование ламинатора вместо утюга для изготовления плат

магистр
Группа: Участники
Сообщений: 2148
 Добавлено: 19-11-2010 16:57
Да знаю я что такое ламинатор. Задача была - равномерно прогревать всю плату. Индукционник не подходит - всё. Пожалуйста, не нужно мне предлагать очевидные вещи.

магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 1481
 Добавлено: 19-11-2010 19:21
А...

Ладно. Пусть ссылка остается - вдруг кому-нибудь нужно просто платы делать. Там хороший видеоурок снят как делать платы ламинатором.

Страницы: << Prev 1 2 3 4 5  ...... 43 44 45  ...... 196 197 198 199 Next>> новая тема
Раздел: 
Gauss2k - gauss gun у тебя дома / Электроника и Электротехника / Индукционный нагрев металлов.

KXK.RU