Индукционный нагрев металлов.

  Вход на форум   логин       пароль   Забыли пароль? Регистрация
On-line:  

Раздел: 
Gauss2k - gauss gun у тебя дома / Электроника и Электротехника / Индукционный нагрев металлов.

Страницы: << Prev 1 2 3 4 5  ...... 116 117 118  ...... 196 197 198 199 Next>> новая тема

Автор Сообщение

гроссмейстер
Группа: Участники
Сообщений: 235
Добавлено: 18-09-2011 13:28
Хватит врать !

Мне плевать на ваши невинноубиенные транзисторы, но когда воинствующие дилетанты врут в письменной форме против очевидной истины - это перебор.

Вам в три голоса твердят об роковой ошибке !
Вы, ksv , или "засланный казачок" или сформировавшийся "учёный", уже не обучаемый. Тиражируете мракобесие в своих опусах, которые пионеры и неподкованные энтузиасты принимают за чистую монету. Похоже, с самого начало возомнили себе, что "мягкое" переключение = переключение в нуле тока.

Ни разу не апеллировали к статьями, на которые я ссылался в своих немногочисленных постах. Там было по-русски всё описано. А читая pdfы от IRF не возникал вопрос, почему для IGBT рабочая частота в резонансном инверторе выше в 5 раз ? Видимо не удосужились хотя бы перемножить ток восстановления диода на питающее напряжение...
Писатель, а не читатель ? Кто-нибудь рецензирует Ваши статьи ?

Идея использовать PDM в полумосте - личная фантазия автора. Из-за постоянной составляющей тока, текущей через выходной трансформатор, она не жизнеспособна в принципе. Впрочем, как использование GDT для верхнего ключа в PDM режиме с переменной скважностью.
Опасность насыщения трансформатора и невозможность мягкого включения после замкнутого цикла непреодолимы. Это задача только для полного моста.


магистр
Группа: Участники
Сообщений: 624
Добавлено: 18-09-2011 15:36
ksv Фиг знает. У меня эта расстройка сохранялась при любых разумных изменениях нагрузки ИН. Хотя я настраивал этот режим при пониженном напряжении питания исходя из минимизации потерь при переключении транзисторов, т.к. в то время сильно путался в ZVS-ZCS. Да и сейчас разбираюсь в них поверхностно.
Поэтому есть вопрос.

HEX скажите, если не трудно, правильно я понимаю - ZVS в инверторе напряжения - это включение ключа при нулевом (близком к нулю) напряжении на стоке транзистора относительно истока. При этом ток инвертора пересекает ноль оси тока внутри верхнего (или, если есть, нижнего) прямоугольника напряжения инвертора, но никак не вместе с напряжением инвертора.
Верна ли картинка рассеиваемой мощности, надо ли изменить расстройку или емкость снаббера. Если их немного поменять, то мощность рассеиваемая на ключе в момент когда он открыт - падает, но при этом немного возрастает мощность рассеиваемая в момент коммутации.


=============================
p.s. Извините что осциллограммы из симулятора, сейчас нет осциллографа под рукой
(впрочем уже разобрался)

магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 1481
Добавлено: 18-09-2011 17:12
НЕХ, что же Вы так эмоционально реагируете? Это же не вопрос жизни и смерти, а просто технические вопросы, связанные с индукционным нагревом. Потом, когда успокоитесь - поправьте, пожалуйста Ваш последний пост сами. Неудобно. Люди ведь смотрят! Мне как-то неловко делать это самому.

Отвечаю по порядку.
Вам в три голоса твердят об роковой ошибке !
Сформулируйте, пожалуйста, в чем конкретно Вы видите ошибку. Кроме заклинаний о ZVS, неконкретных ссылок на достаточно объемные статьи и эмоций я еще ничего не нашел в Ваших постах.

Ни разу не апеллировали к статьями, на которые я ссылался в своих немногочисленных постах...
Если Вы хотите, чтобы кто-нибудь серьезно реагировал на Ваши мысли, предложения и ссылки - потрудитесь их хотя бы сформулировать на понятном языке, обосновать, нарисовать поясняющие рисунки и т.п. Ребусов хватает и без Ваших постов. И, наверное, не только мне.

Идея использовать PDM в полумосте - личная фантазия автора. Из-за постоянной составляющей тока, текущей через выходной трансформатор, она не жизнеспособна в принципе. Впрочем, как использование GDT для верхнего ключа в PDM режиме с переменной скважностью.
Опасность насыщения трансформатора и невозможность мягкого включения после замкнутого цикла непреодолимы. Это задача только для полного моста.
Ну хоть что-то конкретное сформулировали.

1. Полумосты с PDM - это реальность. Они работают, причем не только у меня. Приносят пользу людям... По поводу своих конструкций я пишу достаточно подробные статьи-отчеты, которые опубликованы. Если что-то непонятно или неправильно - это можно обсудить. Только опять же, конкретно и без эмоций.
2. Для устранения постоянной составляющей существует простейшее и широко известное решение в виде разделительного конденсатора. Это же касается и GDT.
3. А по поводу мягкости - Вы сами смотрели осциллограммы и говорили про ZCS. Ну, конечно, если Ваше понятие мягкости подразумевает ZCS.

==========================
To vanderber
У меня эта расстройка сохранялась при любых разумных изменениях нагрузки ИН.
Если резонансная частота нагрузки не меняется, то конечно. А если изменяется? Фаза сдвинется однозначно.

Например, при переходе точки Кюри, резонансная частота контура повысится. В результате ГУН (например, в системе с ФАПЧ) в первые моменты времени будет работать на частоте ниже резонансной. Если при этом появятся сквозняки, то транзисторы могут умереть раньше, чем сработает ФАПЧ.

мастер
Группа: Участники
Сообщений: 106
Добавлено: 18-09-2011 18:34
To ksv
Зря Вы так...
Посты HEX мне лично кажутся очень содержательными и полезными.

Совсем недавно был тупик, а сегодня, после двух дней обсуждения проблемы, Вы готовы бороться с Миллером. Думаю, речь идёт о драйвере.
В скором времени, вероятно, дойдём и до "заклинаний о ZVS". Хотя, именно с них и надо бы начинать.

Любая идея (это придумано не мной) проходит три этапа в своём развитии:
1. "Этого не может быть никогда!"
2. "В этом что-то есть..."
3. "Да кто же этого не знает!!!"
И это нормально. При условии, что в своём развитии идея проходит через пункт №2.

Кстати о Миллере. Цитирую Вас:

Эффект Миллера зависит от скорости роста напряжения на ключе при его закрытии


Я бы сказал от скорости изменения напряжения.

На Ваших осциллограммах всплеск на затворе формируется в момент открывания транзистора. Так?

магистр
Группа: Участники
Сообщений: 624
Добавлено: 18-09-2011 19:12
ksv Если расстройка слишком мала, то возможно и так (использую слово "возможно" - потому что у меня маловато ёпыта, хотя это я действительно у себя наблюдал).
Ну а если достаточна (но не слишком велика), то никаких сквозняков не будет расстройка сохранится и фаза сдвинется в ее пределах.

магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 1481
Добавлено: 18-09-2011 19:33
To ShN

Посты HEX мне лично кажутся очень содержательными и полезными.
Я рад за вас!

А вообще-то я с ним даже ни разу не спорил. Ну недоступна мне эта великая мудрость. Ну и что? Решаю задачу как умею. В отличие от многих, стараюсь рассказать другим, то что понял сам. Чтобы мои коллеги (совсем не инженеры в области инверторов) могли учесть этот опыт и идти дальше.

Не знаю с чего он так перевозбудился.

Совсем недавно был тупик, а сегодня, после двух дней обсуждения проблемы, Вы готовы бороться с Миллером.
Поймите, я готов бороться с Миллером совсем не из-за двух дней обсуждения (хотя это дело - несомненно полезное), а из-за того, что на своих сигналах в пятницу увидел характерные пички. Более того, очевидно, что я собираюсь увеличить резисторы в затворе (о чем, кажется, писал HEX) и, возможно, если не поможет, поставлю активную систему (4-й вариант из статьи про Миллера, ссылку на которую я приводил выше). Т.е. p-n-p транзистор, о котором говорили Вы. Но здесь есть один маленький, НО ОЧЕНЬ ВАЖНЫЙ НЮАНС - я буду хорошо знать ЗАЧЕМ Я ЭТО СДЕЛАЛ. А не просто совершать какие-то "ритуальные танцы" без объяснений.

В скором времени, вероятно, дойдём и до "заклинаний о ZVS". Хотя, именно с них и надо бы начинать.
Возможно, но не думаю. Ну даже если это и произойдет, то я хотя бы постараюсь по-человечески объяснить зачем это нужно делать.

-----------------
Реплика. Со стороны очень легко наблюдать. Делать многозначительные замечания без объяснений. Никакого риска - а кто знает что имелось в виду? Закатывать глаза от возмущения. Это я не про Вас. Упаси Бог! Это просто - обрисовка довольно типичной ситуации. Но я знаю на что иду. Мне интересен этот эксперимент (с таким публичным процессом разработки устройства) и я постараюсь пройти его до конца.
-----------------

Кстати о Миллере. Цитирую Вас:
Эффект Миллера зависит от скорости роста напряжения на ключе при его закрытии

Я бы сказал от изменения напряжения сток (коллектор) - затвор.
Имеете право. Но не думаю, что это принципиально меняет суть. Тем более, что ток зарядки определяется через скорость изменения напряжения сток (коллектор)-исток (эмиттер) и затворный резистор + выходное сопротивление драйвера.

На Ваших осциллограммах всплеск на затворе формируется в момент открывания транзистора. Так?
Приблизительно. Точно не сопоставлял. Т.е. одновременно сигналы на затворах не писал по вполне понятным причинам. Завтра, естественно, проверю.

магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 1481
Добавлено: 18-09-2011 19:54
vanderber, возможно мы говорим о разных вещах. Сейчас постараюсь пояснить что я имею в виду.

Допустим, что "пички" (и сквознячки) пропадут, если частоту инвертора (возбуждения) сделать чуть выше резонансной частоты нагрузки. У меня так не получалось, но я не сильно внимательно на все это смотрел. Меня больше интересовали выбросы напряжения на нагрузке. Завтра посмотрю внимательней. Но - допустим. Например, резонансная частота нагрузки в холодном состоянии 66.0 кГц, а при частоте инвертора 66.1 кГц пички пропали. Теперь мы нагрели образец выше точки Кюри. Резонансная частота нагрузки изменилась и стала, допустим, 72.1 кГц. АПЧ еще не успела отработать до конца, но старается. Инвертор выдает 68 кГц. Затем 70 кГц, затем 72 кГц... Пички на затворе материализовались (а возможно даже и раньше), тут и сквознячок подоспел и, возможно, бабах.

Вот поэтому мне сейчас какие-то тонкие нюансы подстройки частоты (для ZVS или еще х/з для чего) просто не интересны. Тем более, что существуют гораздо более универсальные методы борьбы с Миллером. Независящие от частоты. Простейшие изложены в статье, ссылку на которую я приводил выше сегодня.

магистр
Группа: Участники
Сообщений: 624
Добавлено: 18-09-2011 20:53
ksv вы уж извините, просто у меня нет времени заниматься этим вопросом плотнее, вот и урываю где могу. Насколько я понял, в той задержке речь об изменении частоты не идет, величина задержки будет оставаться более-менее постоянной и достаточной в диапазоне изменения частот.
Ну да ладно, постепенно уяснится. То же подумаю и посмотрю, потом если будут оставаться сомнения - спрошу.
Суть не в том чтоб спорить или обижаться или обзываться, этого мне не надо. Суть в преодолении себя на пути к пониманию. Если бы у меня было больше знаний и опыта в этом вопросе, "я бы здесь мозги не пудрил..." (кин-дза-дза).
Вы правильно сказали, что следует делать осознанные действия. Добавлю что начинать надо с того что знаешь и понятно и постепенно это расширять.
Вот то, что вы делаете мне несовсем понятно, поэтому и спрашиваю.

...хотя, изучить Миллера никогда не вредно.

мастер
Группа: Участники
Сообщений: 106
Добавлено: 18-09-2011 21:08
Из той самой статьи...
Или здесь macrogroup.ru/content/data/store/images/f_6_2034_2.pdf



При открывании IGBT верхнего плеча напряжение
«коллектор – эмиттер» противоположного транзис-
тора уменьшается со скоростью dVCE/dt. Фронт этого
напряжения наводит ток, протекающий через емкость
Миллера, затворный резистор и выходной каскад
драйвера, что создает падение напряжения на актив-
ном сопротивлении в цепи затвора. Если
образующийся потенциал превысит пороговое на-
пряжение затвора IGBT VGE (th), произойдет ложное
открывание транзистора.


Это как раз наш случай? Только почему "уменьшается"?

P.S Было - "Я бы сказал от изменения напряжения сток (коллектор) - затвор." Исправил на "...от скорости изменения напряжения".

магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 1481
Добавлено: 18-09-2011 22:13
Да.

Про "уменьшается" - это, скорее всего опечатка или глюк переводчика.

=================

PS про ZVS

Я был не прав, когда говорил на предыдущей странице, что открытие закрытого ключа происходит всегда не при ZVS. Совсем забыл в рассуждениях про возвратные диоды. Бывает... Наверное тонкой настройкой частоты можно сделать так, что возвратный диод зашунтирует свой ключ, который только потом откроется. С этим легко можно поиграть даже на простейших модельках. Нужно будет почувствовать как зависит точность настройки частоты от значения dead-time. Оценить потери на переключения и т.п.

Тем не менее, пока мне все-таки кажется, что для ИН этот вопрос имеет лишь теоретическое значение. Все-таки нагрузка там достаточно изменчива и непредсказуема. В реальности, вряд ли мы сможем так быстро и так точно подстраиваться под ее поведение. Я чуть выше уже приводил (для vanderber) умозрительный пример, поясняющий эту мысль.

Но а с эффективностью работы ключей и всякими "мягкостями" мы поразбираемся как-нибудь позже. После того, как исчезнут аварии, связанные с Миллером, индуктивностью сети, ну и еще с чем-нибудь, что проявится в следующих экспериментах. Завтра пойдем дальше.

мастер
Группа: Участники
Сообщений: 106
Добавлено: 18-09-2011 22:22
Будем ждать новых результатов.

магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 1481
Добавлено: 19-09-2011 09:56
Продолжим отладку инвертора PDM+АПЧ+66кГц и заодно поизучаем силовую электронику.

Для начала разберемся с вопросами, появившимися в выходные. Их два.
1. ВременнАя привязка пичков на напряжениях затворов (которые появляются из-за емкости Миллера)
2. Предложение HEX убрать их небольшим смещением частоты выше резонансной.

Для экспериментов возьмем простейшую схемотехнику цепей затвора - в затворах стоит единственный резистор 5.1 Ом. Такой вариант часто встречается в Сети. Посмотрим на него с пристрастием. Схема силовой части для экспериментов - на рисунке ниже:


На рисунке ниже осциллограммы напряжений в различных точках схемы совмещены в одном поле. Сигналы, конечно, ужасные, но я специально применил самое простое решение в затворах (только небольшие резисторы) чтобы ничего не мешало.

Мы видим, что те самые пички появляются в момент открывания противоположного транзистора. Так что со сто процентной вероятностью это тот самый эффект Миллера. Методы борьбы с ним изложены в статье, ссылку на которую я давал в самом конце предыдущей страницы (или еще одну ссылку приводил ShN чуть выше).

Ну и, наконец, на следующем рисунке приведены осциллограммы напряжения на затворе нижнего ключа при различных расстройках частоты инвертора.

Мы видим, что даже при довольно существенной расстройке (на 2 кГц вниз и вверх) пички не исчезают (самый левый кадр и третий кадр слева). Лишь при расстройке на 4 кГц выше резонанса, пичком можно пренебречь (для питания 50В). Здесь HEX уже прав (пичок практически исчез), но такие большие расстройки нам уже не интересны, поскольку переключения ключей происходят уже очень и очень далеко от нуля тока.

Так что с чистой совестью (по отношению к HEX) можно приступать к схемотехническим методам борьбы с эффектом Миллера.

После обеда посмотрим как этот пичок ведет себя с увеличением сопротивления резистора в затворе.

магистр
Группа: Участники
Сообщений: 783
Добавлено: 19-09-2011 10:11
Ну ksv вы как танк


остановить можно только двойным кумулятивным
========================
В результате, когда получается надежный аппарат, стойкий к различным внешним воздействиям,
то понимаешь его стоимость отнюдь не 100 баксов

магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 1481
Добавлено: 19-09-2011 10:15
Хочется, все-таки, разобраться до какого-то разумного уровня. Чтобы шерсть на загривке не вставала от напряжения при включении высокого...

магистр
Группа: Участники
Сообщений: 349
Добавлено: 19-09-2011 11:04
Давненько я здесь не был... Уф. А у Вас тут жарче, чем в индукционной печи. Сергей Владимирович, Вам отдельный привет! Не могу поверить, что упорство "форумчан" так действует "профессионалам" на нервы, бизнес подпорчен всякими "любителями" докопаться до истины
=================================
это был оффтоп. теперь по сути. Сергей Владимирович, я Вам настоятельно рекомендую, прежде чем заняться всякими активными мерами, зашунтировать внутренний диод FETа последовательным Шотки, и поставить Rgon>Rgoff. И Rgoff последовательно с диодом.
======================
Что касаемо управления верхним ключом, у меня в "дровах" (всем противникам GDT ) забаццана модуляция ШИМа 3х мегагерцевым сигналом через обычный "И", для предотвращения насыщения сердечника/провала (читай D<10% заполнения) GDT и прочих, тьфу-тьфу, проблем. Ну и +12/-5 вольт ессесно. Этот гадкий-гадкий Миллер
==================================
Злобный HEX, а ваша супер-пупер схема драйвера секретна и продана в NASSA за невъе...ные деньги? Если вы такой дока, то почему не образумите тупых? Конкурировать с SEMICRON собрались? Спорить не стану - 0 тока - попа ключам, а Ваш датчик тока - ЭТО ПРОСТА ВСЕЛЕНСКАЯ ЖОПА! ))))))))))) Мало того, что "квадратичный", так еще и рассчитан только на верхний ключ. А нижний? Вы переживаете только за верхний ключ полумоста? или это привычка "одноглазого" - видеть половину картины, и если она намалевана яркими красками биться в оргазме восклицая "эврика"?!
====================================
вот г-н Чистяков - другое дело. Этот хитрый как я незнаю кто... Даже с чердака старое барахло не принесет и не раздаст нищим!

мастер
Группа: Участники
Сообщений: 106
Добавлено: 19-09-2011 11:08
To ksv
Для чистоты эксперимента проверьте, пожалуйста, влияние расстройки при более высоком напряжении питания (скажем, 100В, 150В).
Это к вопросу о процессе перезаряда внутренних емкостей силовых транзисторов.

гроссмейстер
Группа: Участники
Сообщений: 235
Добавлено: 19-09-2011 11:34
to vanderber
Снаббер не сильно изменит величину динамических потерь IGBT из-за характерного для них хвоста тока (tail current). Для MOSFET работа снаббера более показательна.

to ksv
В правильном режиме ZVS эффект Миллера НЕ может наблюдаться. Ошибка в том, что кроме отстройки по частоте, необходим достаточный выходной ток, отсутствующий при питании от 50 Вольт. Без индуктивной нагрузки (или слишком малой) происходит выход из ZVS режима - переключение перестаёт быть "мягким".

Смотрели 1,3 и 7 страницы Soft switching in resonant converters ?
Там чёткое определение ZVS. Какие возникли вопросы ?

Понятен ли смысл параметра "Peak Diode Recovery dv/dt"=3,5 V/ns в списке Absolute Maximum Ratings IRFPS37N50A ? (если и применять устаревшие разработки IRF, то с индексом "L" в конце названия) раскрытие темы
Это основная причина гибели ваших MOSFET.


Понятен смысл параметра di(rec)M/dt с картинки 22 из даташита irgp50b60pd1 ?
Это вероятная причина гибели ваших драйверов IR21xx.




Про быстрые диоды внутри IGBT : это несёт угрозу интегральным драйверам.


Приведите, пожалуйста, пример полумоста с PDM. Что-то не верится.
Вердикт сверху удалю после редактирования Ваших статей в свете открывшейся объективной реальности.

to analitik41
Про какой датчик тока Вы беспокоитесь ? Где обижаю нижний ключ ?

Для разрядки обстановки предлагаю аттракцион "Угадай 26 защит komrad.isaev"
Моя лепта: 1.Защита, отключающая установку при открытии шкафа управления

магистр
Группа: Участники
Сообщений: 349
Добавлено: 19-09-2011 11:37
В правильном режиме эффект Миллера НЕ может наблюдаться
Бляяяяяяяяяяяяяяяяяяяяяяя
пАцталом.....
Для разрядки обстановки предлагаю аттракцион "Угадай 26 защит komrad.isaev"

1. Ток верхней сборки
2. Ток нижней сборки
3. Напряжение на split-кондере
4. Наверняка по температуре.
5. Я конечно не уверен, но думаю там трубочка для проверки "промили" литейщика еще есть

гроссмейстер
Группа: Участники
Сообщений: 235
Добавлено: 19-09-2011 11:43
смейтесь, смейтесь...

Защита при превышении питающего напряжения.
Защита по выходному току - не индивидуальная для каждого транзистора.
Защита ключей по выходу из "насыщения"
Защита по выходу частоты за допустимые пределы.
Может защита по превышению dI/dt скорости изменения выходного тока.

магистр
Группа: Участники
Сообщений: 783
Добавлено: 19-09-2011 11:43
Где-то так, я её не считал
я забыл еще учесть защиту от обрыва термопары и выхода за максимальную уставку температуры

=========================
вот г-н Чистяков - другое дело. Этот хитрый как я незнаю кто... Даже с чердака старое барахло не принесет и не раздаст нищим


магистр
Группа: Участники
Сообщений: 349
Добавлено: 19-09-2011 12:03
побойтесь индукционного бога. komrad.isaev давно уже не пользуется просто транзисторами. там модуля весом по 150-200 грамм каждый. Да и в ТПЧ-120 в резонанс снизу заходит, рубит over-токи как запрвский гладиатор - не слезая с коня...
========================
есть такая штука - генератор качающейся частоты. больше я об ней ничего не знаю да и не знаю я про то, как все эти синусы и косинусы при совпадении в нуле организуют выброс энергии, часть которой идет на рекуперацию, а другая часть на датчики, которые ухватывают и что-то там думают, чтобы предсказать следующий выброс... да. много загадок в этой "резонансной" ерунде. затягивает.

магистр
Группа: Участники
Сообщений: 349
Добавлено: 19-09-2011 12:27
To komrad.isaev
Хватит потешаться. Поставлю вопрос "в лоб" - давай схему "ужастика" в студию!
To HEX
Ну Вы же приводили... совсем недавно... прям в "промеж" ключей... Или это что было? Просто Вы так эмоционально рассказывали о том, от куда нужно снимать сигнал тока, без всяких смесителей и прочего, что вот я и подумал по своей тупости, что это Вы считаете за прописную истину. Копия картинки, кажется из какого-то апп-ноута. Суть не в этом. Схемотехнику мы от вас дождемся?!

магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 1481
Добавлено: 19-09-2011 12:40
Добрый вечер, analitik41!
Рад встрече! Давненько Вас не было!

Как Ваши дела? Довели свой аппарат (PDM полумост с АПЧ) до конца? Я тут тоже попробовал (на 66 кГц) реализовать АПЧ на основе измерения периода свободных колебаний. Получилось гораздо лучше, чем даже я сам ожидал! Слово ФАПЧ начинаю потихоньку забывать. Иногда вздрагиваю только...

Правда вот силовая часть немножко напрягла, когда начал PDM без электролитов питать. А с другой стороны нет худа без добра. Отличный повод сесть и, наконец, со всеми нюансами "силы" разобраться. Сколько можно откладывать на потом... Присоединяйтесь. Процесс, конечно, утомительный, нервный, но вижу, что явно поступательный. Полагаю - скоро дойдем до конца.
--------------------
зашунтировать внутренний диод FETа последовательным Шотки, и поставить Rgon>Rgoff. И Rgoff последовательно с диодом.
Конечно. Я просто сейчас откатил на самый край чтобы расставлять по пути все точки. Подходящие Шоттки есть, но это на будущее. В этом проекте (PDM+АПЧ+66кГц) я решил попробовать IGBT. Давно хотел повозиться, но повода не было...

========================

To НЕХ
Вердикт сверху удалю после редактирования Ваших статей в свете открывшейся объективной реальности.
Ну и оставляйте свой "вердикт" как есть, если самому не стыдно. Я уже давно не реагирую на такие вещи. Просто неудобно мимо ходить. Ну как в не очень культурных подъездах или лифтах иногда бывает...

Что-то доказывать и объяснять Вам я не собираюсь. Понимаю что бесполезно. Ну а на конкретные замечания, если сформулируете - отвечу.

=======================

To ShN
Для чистоты эксперимента проверьте, пожалуйста, влияние расстройки при более высоком напряжении питания (скажем, 100В, 150В).
Это к вопросу о процессе перезаряда внутренних емкостей силовых транзисторов.
К сожалению 50В 2А для данного источника - предел. Более высоковольтного (с быстрой защитой) нет. А без защиты с такими "жесткими" задачами возиться что-то не очень хочется. Ключи жалко.

А что, есть качественный скачок между 50 и 100 В? Сейчас потребляемый ток почти пол-ампера. Тигель в индукторе валяется - горячий. Просто я на эту тему не думал. Если есть соображения - скажите.

магистр
Группа: Участники
Сообщений: 349
Добавлено: 19-09-2011 12:51
To ksv
Ну как можно довести до совершенства не доводимое? Это-ж к комбайнерам. Я так. Пытаюсь заниматься улучшениями по мере возможности. Интересно, а чем Вас электролиты отпугнули? Все-таки класс-D.
===========================
Я тут плотно очень защитами занялся, хотя (тьфу-тьфу) еще и не пригождались не разу Мимоходом выяснил, что LM319 с плавающей землей - это самое оно. Еще и у "профи" так-сказать узнал. Они меня прямо мордой тыкали в подвешенный "плюс" датчиков тока. В результате + ДТ был подтянут к + питания микросхемы компаратора через емкость в 470 пФ. Так же попутно разузнал про всякие "ускоряющие" цепочки. Вобщем сыровато, но что-то работает. Пока что для подогрева мишени в бетатроне мне хватает.

гроссмейстер
Группа: Участники
Сообщений: 235
Добавлено: 19-09-2011 12:56
to analitik41
Схемотехнику публиковать рано - с детскими вопросами про ZVS разобраться не можем.
С датчиком тока Вы поспешили...Схема симметрична.(и к моей схемотехнике драйвера он отношения не имеет)
выключенный транзистор предоставляет время для размагничивания магнитопровода датчика тока.

to ksv
с упорством, достойным лучшего применения...
только ж помочь хочу, не дискредитировать...
в 11.34 вопросиков накидал, должны, при усердии, помочь разобраться. Для Вашей же пользы.

Ссылочку на альтернативный PDM на полумосте ?

магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 1481
Добавлено: 19-09-2011 13:04
To analitik41

Про электролиты мы тут уже пару раз проходились. Будет время - поройтесь в ветке немножко в историю. Ну а кратко скажем так - "сетевая экология". PDM в резонансе с питанием без электролитов - это фактически чисто активная нагрузка. ККМ не надо. Да и на практике - вот не могу объяснить. Уже пытался. Но как-то очень приятно работает. Я бы сказал даже - "интеллигентно". Когда работает... Пока еще не всегда.

Вот доведу этот вариант до ума, а потом хочу вообще двухполярные ключи "сгородить" и попробовать в ИН. Чтобы и от выпрямительного моста отказаться. Тогда вообще гад "в смокинге", наверное получится.

мастер
Группа: Участники
Сообщений: 106
Добавлено: 19-09-2011 13:05
To ksv
Если есть соображения - скажите

Так, вроде бы, уже высказано...
Ток нагрузки мал, ёмкости не успевают перезарядиться, диод закрыт, транзистор открывается при значительном напряжении Uкэ. Не ZVS.
Картинки на мой вгляд это подтверждают...
Когда Вы работаете на частоте 71,2кГц ток конденсаторов больше. Отсюда и картинка на затворе лучше.

магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 1481
Добавлено: 19-09-2011 13:24
To ShN
Ну если пол-ампера мало, то пока оставим этот вопрос открытым. Иначе ключей на все эксперименты не хватит.

Полагаю что Миллера нужно "давить" на всех токах, всех напряжениях и любых разумных расстройках. А не только при каких-то специальных условиях.
=================================

To НЕХ
Ссылочку на альтернативный PDM на полумосте ?
Ну ищите сами, если Вам надо. Я же уже говорил, что ничего доказывать Вам не собираюсь. Буду отвечать только на конкретные замечания.

гроссмейстер
Группа: Участники
Сообщений: 235
Добавлено: 19-09-2011 13:27
Переступите через гордыню - ответьте на конкретный вопрос :

Чему равно dI/dt(скорость нарастания) коллекторного тока при открывании IGBT при резисторе в затворе 5 или 10 Ом ?

Искал - схем "PDM на полумосте" не существует. Или только у Вас, но нерабочая...

мастер
Группа: Участники
Сообщений: 106
Добавлено: 19-09-2011 13:55
To ksv

Повышать напряжение предлагал исходя из того, что, по Вашим словам, нестабильная работа наблюдается только при PDM>50%. Тогда осциллограммы можно спокойно смотреть и сравнивать при большем напряжении и PDM<50%.
Может быть, не так что-то понял. Не настаиваю.

магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 1481
Добавлено: 19-09-2011 14:01
To ShN
Так то ж от сети без электролитов. Вы знаете какие осциллограммы таких условиях? Жуть - это мягко сказано!

Ладно. Давайте как-нибудь потом. А сейчас порешаем более актуальную проблему - поищем универсальное "лекарство" против Миллера.


гроссмейстер
Группа: Участники
Сообщений: 235
Добавлено: 19-09-2011 14:56
To ShN
Ток нагрузки мал, ёмкости не успевают перезарядиться, диод закрыт, транзистор открывается при значительном напряжении Uкэ. Не ZVS.


Велики мои сомнения - к тому моменту ток уже затек...

магистр
Группа: Участники
Сообщений: 494
Добавлено: 19-09-2011 15:35
ksv-ВЫ писали ,что сейчас нет таких людей-есть,это ВЫ-спасибо за ВАШИ труды,а где молодежи учиться,раньше как институт-завод, сами учились и других учили.

мастер
Группа: Участники
Сообщений: 106
Добавлено: 19-09-2011 23:35
To HEX
Велики мои сомнения - к тому моменту ток уже затек...

А обратное восстановления диода закончено?

магистр
Группа: Участники
Сообщений: 349
Добавлено: 20-09-2011 01:43
To HEX
Ну что же Вы такой упрямый? не бывает, не бывает. А гугл на что?
Вот
и вот
и еще их миллионы
...ну а если совсем Вам лениво, то вот Вам прямая ссылка. (с разрешения IEEE group Gmb.) Данный девайс используется для расплавления тонера в супер дорогих полиграфических установках. Заметьте - ИМЕННО ZCS. Думаю вопрос исчерпан.

магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 1481
Добавлено: 20-09-2011 03:49
Да это не лень. Тут все проще. Судя по всему, чел просто еще "не въехал" в то, что инвертор для ИН это совсем не блок питания. Или, скажем мягче - не совсем блок питания. Ну..., - довольно характерная беда узкоспециализированных технарей с уже "необратимо загнутыми пальцами". Пусть сам себе "удочку строгает".

Да фихсним. Как-нибудь уж сами постепенно разберемся с нюансами силовой электроники.

магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 1481
Добавлено: 20-09-2011 06:05
Немножко "побренчал цепями" в затворах ключей. Осциллограммы паршивые - даже противно выкладывать. Но коль уж идем "логическим ходом", так идем дальше.

Итак. Все осциллограммы сняты на резонансной частоте. На первой серии осциллограмм (слева) резистор в затворе увеличен до 30 Ом. Пички остались, только "перебрались" на фронты. Маловат dead-time. На следующей серии (вторая слева) он увеличен до 1.5 мкс. Пички заметно ослабли, но работать с такими dead-time просто как-то противно.

На следующих двух сериях (две справа) зарядный и разрядный резисторы разделены. Стандартная цепочка с диодом (поставил д.Шоттки 1N5819).Пичок практически задавлен, но на сигнал напряжения на нагрузке смотреть не хочется. Мерзость, да и только. На последнем - уменьшил dead-time до 500 нс. Сигнал напряжения на нагрузке стал вполне симпатичным, но пички на затворах "материализовались" снова.



Во всех этих вариантах есть одна общая черта - на сигнале напряжения (на нагрузке) всегда есть "кусочки" очень резких фронтов и спадов. Т.е. фрагменты с большим dV/dt. Они-то, конечно, и приводят к пичкам. Ключи - пороговые элементы. Что с них взять? Хоть быстро подымай напряжение на затворе, хоть медленно. В какой-то момент все равно резко срабатывают и уходят в насыщение. Поэтому я пока еще никак не могу понять логику этих "танцев с бубном" вокруг затворов. Может быть лучше как-нибудь непосредственно уменьшать скорость изменения напряжения на самих ключах? Колечки ферритовые какие-нибудь приспособить, индуктивности или еще чего-нибудь.

Сейчас попробую простую активную цепочку с p-n-p транзистором. Посмотрю что есть под рукой. Если и на "закороченном" затворе пички будут вылезать, то останется, наверное, только два варианта:
1. Убирать сопли - максимально приблизить драйверы к ключам, уплотнить все до "боже мой!". Что не очень хочется - тяжело экспериментировать.
2. Как-то напрямую снижать скорость переключения ключей. Какие (независящие от расстройки!) способы есть?

Ладно. Попробую сначала p-n-p, а потом уже и буду думать, если не получится.

магистр
Группа: Участники
Сообщений: 349
Добавлено: 20-09-2011 06:35
To ksv
Ну можно поставить индуктивные демпфера. Один в исток верхнего ключа, второй в сток нижнего. Еще, как вариант, драйвер с отрицательным запирающим напряжением. Где-то -3/-5 V. Последний вариант сделан у меня. Проблем пока нет. Как буду дома, выкину схему.
=============
А последняя OSC в Вашем посте. Там масштаб какой по напряжению на ключах? Хотя... Блин. Все ровно не менее 10% от амплитуды сигнала эти пички/тычки.
============
PS когда я подбирал Rg, то делал следующим образом:
Ставил прецизионник (ИМХО не китай! Советский СП5-2, военпромка.) и крутил его до получения более-менее приемлемой картинки. Потом просто измерял его сопротивление.
PPS
Бедный-бедный Миллер. Взгромоздившись на на свое плато он взирал на "крестьян", явно "отрицательно" настроенных по отношению к его "емкости". Но плато казалось столь непреодолимым, что хохот гера Миллера порождал все новые и новые взрывы в метал-оксидной структуре здоровенных транзисторов...

магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 1481
Добавлено: 20-09-2011 06:42
Hi!
Да. Я уже почти склонился к этому варианту (непосредственное уменьшение скорости). Но для "последовательности логического хода" () нужно сделать все-таки какой-нибудь простенький активный вариант на затворе.

Как буду дома, выкину схему.
Замечательно! Любопытно будет взглянуть. Отрицательное смещение - довольно радикальный вариант кастрировать Миллера.

мастер
Группа: Участники
Сообщений: 72
Добавлено: 20-09-2011 09:04
То КSV Трансформаторный драйвер силовых ключей с отрицательным смещением http://multikonelectronics.com/subpage.php?p=6&i=8#DRVChromeHTMLShellOpenCommand. Может стоит попробовать такой вариант.


магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 1481
Добавлено: 20-09-2011 09:14
Я видел эту статью. Недавно она уже фигурировала. С первого мимолетного взгляда как-то не понял будет она работать с PDM или нет. Отложил до случая.

Все решения с отрицательным смещением я пока пока откладывал. На са-а-а-мый крайний случай. Если не сработает ни один попроще.

магистр
Группа: Участники
Сообщений: 349
Добавлено: 20-09-2011 09:33
To ksv
схема драйвера

магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 1481
Добавлено: 20-09-2011 09:40
Вот он какой был John Milton Miller. Хи-и-и-итрый... Но совсем не злобный!



=============================

analitik41, спасибо за схему! Если "доработаюсь", конечно, до крайнего случая... . Посложнее будет, чем просто p-n-p в затворе, но не сильно. Вы ее у себя с PDM используете?

магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 1481
Добавлено: 20-09-2011 11:07
Ну вот проверил будет ли заряжаться затвор если его при выключении замкнуть p-n-p транзистором.

Схема цепочки из статьи "Разработка и применение высокоскоростных схем управления силовыми полевыми транзисторами", рис.13.

Транзисторы взял какие оказались под рукой (BD138), диоды Шоттки 1N5819. Резистор в затворе - 20 Ом. Резонанс. Результаты ниже.



Ну какой вррредный, все-таки старикашка! Пички, хоть и не сильно здоровые, но есть. При расстройке вверх амплитуда пичков уменьшается. При расстройке на 3-4 кГц (от 67.2 кГц) пички исчезают. При расстройке вниз амплитуда пичков сначала слегка растет (пару-тройку кГц), но потом почти уже не меняется.

Может транзисторы поподбирать с низким падением напряжения в насыщении. Сейчас просто взял что было? Или лучше начать фронты напряжения на ключах валить?

мастер
Группа: Участники
Сообщений: 106
Добавлено: 20-09-2011 11:14
To ksv
А такую картинку дадите?


магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 1481
Добавлено: 20-09-2011 11:19
Пока не могу. Колечки ТТ великоваты - не подлезть. Нужно поменьше ТТ сделать. Но за колечками ехать - опять пол-дня в пробках стоять. Так что пока не могу. Q1 - это верхний ключ или нижний?

гроссмейстер
Группа: Участники
Сообщений: 235
Добавлено: 20-09-2011 11:20
to analitik41
Вопрос НЕ исчерпан !
Вы тоже путаете ZVS & ZCS ?
В приведённых ссылках нашёл полумосты, но:
в паузах передачи энергии ОБА КЛЮЧА ЗАКРЫТЫ

to ksv
Не умаляю Вашей роли в популяризации индукционного нагрева. Труд очевиден.
Одно огорчает - не хотите признавать ошибки.
А мэтры, появляющиеся тут, для которых индукционный нагрев уже ремесло, почему они не уберегли Вас от фундаментальной ошибки про ZVS,"мягкость" и момент перехода тока нагрузки через ноль, и от фатальной - "PDM на полумосте" ?

Склоняюсь, что основная проблема текущего разбора полётов - вхождение в насыщение магнитопровода силового трансформатора, происходящее при уровне мощности более 50%. Этому способствует пониженная частота (66 вместо 100). А датчик тока стоит во вторичной цепи и ничего не видит !
Трансформатор с насыщенным магнитопроводом = намотанный на воздухе = почти перемычка.

магистр
Группа: Участники
Сообщений: 349
Добавлено: 20-09-2011 11:21
Вы ее у себя с PDM используете?
ага
Вы тоже путаете ZVS & ZCS ?
ага
вхождение в насыщение магнитопровода силового трансформатора, происходящее при уровне мощности более 50%
де? ничо подобного. mHFe = 300. Какое насыщение?

мастер
Группа: Участники
Сообщений: 106
Добавлено: 20-09-2011 11:28
To ksv
Q1 - это верхний ключ или нижний?

В данном случае - верхний. Но это не важно. Надо посмотреть ток ключа.
Непонятно почему нельзя колечко приспособить. У Вас же, вроде бы, монтаж довольно свободный...
Мне казалось, что это не составит труда.

магистр
Группа: Модераторы
Сообщений: 1481
Добавлено: 20-09-2011 11:30
ToHEX

А датчик тока стоит во вторичной цепи и ничего не видит !
На схеме нарисованы (и в реале используются) два датчика тока. Один в первичке (TT1) для контроля тока, потребляемого нагрузкой. Второй (TT2) - во вторичке для измерения периода свободных колебаний. Характерных сигналов насыщения (по TT1) не видел ни в каких режимах.

==========================
To ShN
Ну не влезает ТТ между ног у транзистора! А дальше все разветвляется. Давно собираюсь сделать миниатюрные датчики. Но как-то руки не доходят.

Страницы: << Prev 1 2 3 4 5  ...... 116 117 118  ...... 196 197 198 199 Next>> новая тема
Раздел: 
Gauss2k - gauss gun у тебя дома / Электроника и Электротехника / Индукционный нагрев металлов.

KXK.RU